电感
电感是电力电子中重要部件,本文主要介绍电感的感量计算与损耗计算,以NPC226026为例 2.4mm*2P 29T 3核
1.感量计算
电感低频时如18kHz的设计,主要是在直流偏置,电感感量,铜损和磁损之间的取舍。
电感感量计算主要包括初始感量与直流偏置的感量
1.1初始感量
L=ALN2L=A_L N^2L=ALN2
L=4πμN2AeleL=\frac{4 \pi \mu N^2 A_e}{l_e}L=le4πμN2Ae
3磁芯并联相当于磁芯等效面积增加三倍,因此AlA_lAl增加三倍,计算得:
L@0A=60∗3∗19∗19/1000=151.38uHL_{@0A}=60*3*19*19/1000=151.38uHL@0A=60∗3∗19∗19/1000=151.38uH
1.2直流偏置
1.2.1.计算某一电流下磁场强度:
H=0.4πNIℓeH=\frac{0.4 \pi N I}{\ell_{\mathrm{e}}}H=ℓe0.4πNI
1.2.2.计算该磁场强度下磁导率衰减:
查图法或者公式法:
磁导率衰减公式:
%μ=a1+(H/b)c+d\%\mu=\frac{a}{1+(H / b)^c}+d%μ=1+(H/b)ca+d
1.2.3.计算该电流下感量
由于感量与磁导率成正比,因此直接把初始磁导率乘以%u得到该电流下感量
L@I=L0A∗%u100L_{@I}=\frac{L_{0A}*\%u}{100}L@I=100L0A∗%u
计算实际操作:
H@75A=0.4∗π∗29∗75/12.5=218.544H_{@75A}=0.4*\pi*29*75/12.5=218.544H@75A=0.4∗π∗29∗75/12.5=218.544
H@150A=0.4∗π∗29∗75/12.5=437.088H_{@150A}=0.4*\pi*29*75/12.5=437.088H@150A=0.4∗π∗29∗75/12.5=437.088
磁导率衰减公式:
%u75A=93.58431+(218.544/314.4894)2.5844+5.4287=72.75\%u_{75A}=\frac{93.5843}{1+(218.544/314.4894)^{2.5844}}+5.4287=72.75%u75A=1+(218.544/314.4894)2.584493.5843+5.4287=72.75
%u150A=93.58431+(437.088/314.4894)2.5844+5.4287=33.43\%u_{150A}=\frac{93.5843}{1+(437.088/314.4894)^{2.5844}}+5.4287=33.43%u150A=1+(437.088/314.4894)2.584493.5843+5.4287=33.43
感量:
L@75A=0.7275∗151.38=110.1289L_{@75A=0.7275*151.38=110.1289}L@75A=0.7275∗151.38=110.1289
L@75A=0.3343∗151.38=50.61L_{@75A=0.3343*151.38=50.61}L@75A=0.3343∗151.38=50.61
与铂科计算结果基本吻合:
1.2.3.计算最大磁通密度:
交流磁通密度:
Bmax(AC)=Erms⋅1084.444fAeNB_{max}(AC) = \frac{E_{rms}\cdot10^8}{4.444fA_eN} Bmax(AC)=4.444fAeNErms⋅108
计算约5625Guass即0.56T
1T=10000Guass
直流磁通密度:
Bmax(DC)=L⋅Idc⋅108AeNB_{max}(DC) = \frac{L\cdot I_{dc}\cdot10^8}{A_eN} Bmax(DC)=AeNL⋅Idc⋅108
2.铜损计算
直流电阻:RDCR=ρ⋅LAR_{DCR} = \rho \cdot \frac{L}{A} RDCR=ρ⋅AL
集肤深度:δ=1fπμσ=1f⋅232.133=0.489mm\delta= \sqrt\frac{1}{f\pi\mu\sigma} =\sqrt\frac{1}{f\cdot232.133}=0.489mm δ=fπμσ1=f⋅232.1331=0.489mm
温度对铜线电阻的影响:
R=Rref[1+α(T−Tref)]R =R_{ref}[1+\alpha (T-T_{ref})] R=Rref[1+α(T−Tref)]
RrefR_{ref}Rref:通常为20℃下的电阻
TrefT_{ref}Tref:通常为20℃
α\alphaα:调整系数
铜的电阻率为1.7×10−8Ω⋅m1.7 \times 10^{-8} \Omega \cdot m1.7×10−8Ω⋅m(25℃,100摄氏度约为2.3×10−8Ω⋅m2.3 \times 10^{-8} \Omega \cdot m2.3×10−8Ω⋅m)
单根线长:L=(OD−ID+2∗3∗Ht)∗29=3747.96mmL=(OD-ID+2*3*Ht)*29=3747.96mmL=(OD−ID+2∗3∗Ht)∗29=3747.96mm
截面积:A=π∗(d/2)2=π∗d2/4=3.8mm2A=\pi*(d/2)^2=\pi*d^2/4=3.8mm^2A=π∗(d/2)2=π∗d2/4=3.8mm2
单根电阻:R=0.01676
线圈损耗:47.1375W
3.磁芯损耗计算
磁芯损耗包括磁滞损耗、剩磁损耗和涡流损耗
计算公式:
RACμL=aBmaxf+cf+ef2 \frac{R_{AC}}{\mu L} = aB_{max}f+cf+ef ^2μLRAC=aBmaxf+cf+ef2
RACR_{AC}RAC:磁芯损耗产生的有效电阻
a:磁滞损耗系数
c:剩磁损耗系数
e:涡流损耗系数
对于NPC有
4.磁芯的选择
低频电感磁芯选择;
1.直流偏置与感量之间的取舍;磁芯的磁导率越大其初始感量越大,但是其直流偏置性能越差,直流偏置性能差将导致满载纹波大或者短路电流过大,是很危险的。电感设计的基本要求是满载下的直流偏置感量达到纹波的限制,另外就是功率管工作在短路区时的电流应该被限制,不至于过大。
2.感量与铜损(温升)的取舍;可以通过选取多个低磁导率磁芯并联的方式兼顾直流偏置与感量,但是会导致线圈长度大铜损高温升大(低频如18kHz下,磁损较低,约比铜损小一两个数量级,因此温升主要取决于铜损)的问题。
3.可以使用异形磁芯和带状线的方式来降低直流阻抗。